ჩვენი უპირატესობები

სქელი ფირის რეზისტორები

მაღალი TOL და დაბალი TCR, არაინდუქციური, სუპერ მაღალი სიმძლავრე და მაღალი ძაბვა.
ელექტრონული ტრანსფორმატორი

აკმაყოფილებს "ციფრული, ინტელექტუალური და ქსელური" და "ქვესადგურების ინტეგრირებული ავტომატიზაციის სისტემის" განვითარებას.
IGBT გამათბობელი

ცივი გაყალბებას ასევე შეუძლია შესთავაზოს მკაფიო უპირატესობები დამუშავების, პროგრესირებადი ჭედურობის, ჩამოსხმის, შედუღების და სხვა ფაბრიკაციის პროცესებთან შედარებით.
თხევადი გაგრილებული რეზისტორები

გამოიყენეთ წყალი ან გამაგრილებელი სითბოს გაფრქვევისთვის.

ახალი პროდუქტი

მორგებული რეზისტორები

მომსახურება ჩვენ მომხმარებელს ვთავაზობთ ინდივიდუალური რეზისტორების მრავალფეროვან გადაწყვეტილებებს.შიდა სატესტო ლაბორატორიები გვაძლევს შესაძლებლობას ჩავატაროთ ემპირიული ტესტირება ძალიან სწრაფად.არა მხოლოდ სქელი ფირის ტექნოლოგიაში გადაწყვეტილებები, არამედ სპეციფიური რეზისტორები სხვადასხვა უჟანგავი ფოლადის მოდელებში, მორგებულია შესაბამისი აპლიკაციებისთვის.ასევე მისასალმებელია ცალკეული დაბალი მოცულობის სერიები – რათა მიიღოთ რეზისტორები, რომლებიც იდეალურად უწყობს ხელს თქვენი პროდუქტისა და პროექტის წარმატებას.
სერიის JEP მაღალი პულსის შთანთქმის რეზისტორები

გაზომვის ზომები მილიმეტრებში სპეციფიკაციები წინააღმდეგობის დიაპაზონი 200Ω -1GΩ წინააღმდეგობის ტოლერანტობა ±0.5%~± 10% ტემპერატურის კოეფიციენტი ±25PPM/℃~±80PPM/℃(25℃~105℃) სპეციალური მოთხოვნით მაქს.ოპერაციული ტემპერატურა 225℃ ტყვიის მასალა OFHC სპილენძის ნიკელის მოოქროვილი სპეციალური მოთხოვნით სხვადასხვა ძაბვისა და ზომის შეკვეთის შესახებ ინფორმაცია ტიპი ომური მნიშვნელობა TOL JCP65 60K 1% 25PPM
სერიის UPR/UPSC მაღალი სიზუსტის ლითონის ფირის Resis...

დერაციის ზომები ზომები მილიმეტრებში (ინჩებში) UPSC UPR A 7.50±0.20 10.50±0.30 (0.295±0.008) (0.413±0.012) B 8.50±0.20 9.00±0.20 9.00±0.30 (0.30±0.30) (0.30) ±0.20 4.00± 0.30 (0.098±0.008) (0.157±0.012) D 0.63±0.20 0.63±0.0.05 (0.025±0.008) (0.025±0.002) E 3.81±0.002) E 3.81±0.002) E 3.81±0.38 7.60±0.38 7.60±0.50 15) F 25± 1 18±5 (0.98±0.04) (0.71±0.196) ტექნიკური და სტანდარტული ელე...
EE მაღალი სიზუსტის ლითონის ფირის რეზისტორების სერია

დერიტირება დერიტირება (თერმული წინააღმდეგობა.) SUP600: 8,47 W/K (0,12 K/W) სიმძლავრის ნიშანი: 600 W 85°C ქვედა ყუთის ტემპერატურაზე ეს მნიშვნელობა გამოიყენება მხოლოდ თბოგამტარობის გამოყენებისას გამათბობელზე Rth-cs<0,025 კ/ვ.ეს მნიშვნელობა შეიძლება მიღებულ იქნას თერმული გადაცემის ნაერთის გამოყენებით, რომელსაც აქვს სითბოს გამტარობა მინიმუმ 1 W/mK.გაგრილების ფირფიტის სიბრტყე უნდა იყოს მთლიანობაში 0,05 მმ-ზე უკეთესი.ზედაპირის უხეშობა არ უნდა აღემატებოდეს 6,4 მკმ.ზომები მილიმეტრებში სპეციფიკაციები წინააღმდეგობა r...
სერიის PBA Precision Resistor

დერიტირება დერიტირება (თერმული წინააღმდეგობა.) SUP300: 4,24 W/K (0,24 K/W) სიმძლავრის ნიშანი: 300 W 85°C ქვედა ყუთის ტემპერატურაზე ეს მნიშვნელობა გამოიყენება მხოლოდ თბოგამტარობის გამოყენებისას გამათბობელზე Rth-cs<0,025 კ/ვ.ეს მნიშვნელობა შეიძლება მიღებულ იქნას თერმული გადაცემის ნაერთის გამოყენებით, რომელსაც აქვს სითბოს გამტარობა მინიმუმ 1 W/mK.გაგრილების ფირფიტის სიბრტყე უნდა იყოს მთლიანობაში 0,05 მმ-ზე უკეთესი.ზედაპირის უხეშობა არ უნდა აღემატებოდეს 6,4 მკმ.ზომები მილიმეტრებში სპეციფიკაციები წინააღმდეგობა r...
სერიის MCP Resistor

დაშორების ზომები მილიმეტრებში ტექნიკური და სტანდარტული ელექტრული სპეციფიკაციები ტიპი სიმძლავრე 25°C მაქს.კვ ზომები მილიმეტრებში (ინჩებში) A(±0.50/±0.02) B (±0.50/±0.02) C(±0.50/±0.02) MCP05 0.5 3000 12.90/0.51 3.40/0.13 10.013 14.001 .68 3.40 /0.13 15.24/0.60 MCP12 1.20 5000 20.00/0.78 5.08/0.20 17.78/0.70 MCP16 1.60 8000 25.60/1.01 5.30/0.78 5.30/0.20. 8.30/1.51...
სერიის JCP Resistor ელექტრონული ტრანსფორმატორისთვის

დერიტირება ზომები მილიმეტრებში ტექნიკური და სტანდარტული ელექტრული სპეციფიკაციები ტიპი სიმძლავრე (W) მაქს.ძაბვა (KV) წინააღმდეგობის დიაპაზონი (Ω ) ზომები მილიმეტრებში (ინჩებში) A (±1.00/±0.04) B (±1.00 /±0.04) JCP65/15 25 25 100- 1G 65.00/2.56 16.00/0.63 JCP80/15 30 35 100- 1G 80.00/3.15 16.00/0.63 JCP100/15 40 40 100- 1G 100.00/3.94 16.00/0.63 JCP130/15 45 50 100- 1G 130.00/5.1012/0.60 ...
სერიის SHV Resistor

დერიტირება (თერმული წინააღმდეგობა.) LXP100 /LXP100 L: 0,66 W/K (1,5 K/W) გამათბობელის გარეშე, ღია ცის ქვეშ 25°C ტემპერატურაზე, LXP100 /LXP100 L შეფასებულია 3 ვტ. 25°C-ზე ზემოთ არის 0.023 ვტ/კ.გამოყენებული სიმძლავრის ლიმიტის განსაზღვრისათვის გამოყენებული უნდა იქნეს საქმის ტემპერატურა.კორპუსის ტემპერატურის გაზომვა უნდა განხორციელდეს თერმოწყვილით, რომელიც დაუკავშირდება დაპროექტებულ გამათბობელზე დამონტაჟებული კომპონენტის ცენტრს.თერმული ცხიმი უნდა იქნას გამოყენებული სწორად.ეს მნიშვნელობა გამოიყენება მხოლოდ მაშინ, როცა...